Formation d’interface métal-semiconducteur

Etudier d’un point de vue fondamental les propriétés physiques des matériaux constitutifs des composants à semi-conducteurs afin de mieux comprendre les mécanismes qui les gouvernent, puis d’améliorer les performances des dispositifs est un des axes prioritaires de la recherche scientifique mondiale. La première partie (originalité) : tracé d’un réseau de véritables isothermes d’adsorption à l’aide de la spectroscopie Auger, en dépit de la difficulté expérimentale, à établir des conditions d’équilibre puis ajuster ces isothermes expérimentales à une isotherme de Fowler et obtenir ainsi directement les énergies d’interaction dépôt-substrat et dépôt-dépôt . La seconde partie, présente une étude comparative des premiers stades de la formation des interfaces métal-noble/ Si(100). La majorité des expériences ayant porté sur l’interface Au/Si(100). A température ambiante, les toutes premières couches d’or forment un alliage amorphe avec les atomes de surface de Si, tandis qu’à haute température, la croissance est du type(SK). En conclusion, ce travail ouvre la voie à des études ultérieures de l’évolution conjointe des structures électronique et structurales dans ces systèmes.